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Référence fabricant | MMBZ27VDA-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ27VDA-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ27VDA-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80nA @ 22V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ27VDA-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ27VDA-G3-08-FT |
DZ23C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG320C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-CSG81I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27I7N
Intel
5SGXMB9R1H43C2N
Intel
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CPG236C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation
EP1SGX40GF1020C5
Intel