maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / MMBZ27VDA-E3-18
Référence fabricant | MMBZ27VDA-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ27VDA-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ27VDA-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80nA @ 22V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ27VDA-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ27VDA-E3-18-FT |
DZ23C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CL080YF484I7G
Intel
EPF10K100EFI256-2
Intel
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7V585T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
10AX115H2F34I2SGE2
Intel
EP2AGZ350FF35C4N
Intel