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Référence fabricant | MLZ2012M2R2HTD25 |
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Numéro de pièce future | FT-MLZ2012M2R2HTD25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLZ |
MLZ2012M2R2HTD25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 600mA |
Courant - Saturation | 400mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 160 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLZ2012M2R2HTD25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLZ2012M2R2HTD25-FT |
NLCV25T-6R8M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-R10M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-R10M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-R15M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-R22M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-R33M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-R33M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-R47M-EFR
TDK Corporation
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40I3LN
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EPF81188ARC240-4AA
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel