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Référence fabricant | MLP2016H4R7MT |
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Numéro de pièce future | FT-MLP2016H4R7MT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLP |
MLP2016H4R7MT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H4R7MT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLP2016H4R7MT-FT |
MLZ2012DR10DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10DTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR22DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR22DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R0HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT000
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HTD25
TDK Corporation
MLZ2012M220WT000
TDK Corporation
MLZ2012M2R2HTD25
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MLZ2012M3R3HTD25
TDK Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel