maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / MLZ2012DR10DT000
Référence fabricant | MLZ2012DR10DT000 |
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Numéro de pièce future | FT-MLZ2012DR10DT000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLZ |
MLZ2012DR10DT000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.15A |
Courant - Saturation | 1A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 70 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 500MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.05mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLZ2012DR10DT000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLZ2012DR10DT000-FT |
NLCV25T-3R3M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-4R7M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-6R8M-EFR
TDK Corporation
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation