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Référence fabricant | MG17100D-BN4MM |
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Numéro de pièce future | FT-MG17100D-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MG17100D-BN4MM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 690W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG17100D-BN4MM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MG17100D-BN4MM-FT |
FP10R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FZ1200R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HE4B9HOSA2
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FZ2400R12HP4B9HOSA2
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FZ2400R12HP4HOSA2
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FZ2400R17HP4B9HOSA2
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FZ3600R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HP4HOSA2
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FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
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A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
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XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
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EP4CE30F29C8
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EP4CE75F29I7
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EP3C25F324C8N
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EP1K100QI208-2N
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