maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1800R17HE4B9HOSA2
Référence fabricant | FZ1800R17HE4B9HOSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FZ1800R17HE4B9HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ1800R17HE4B9HOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single Switch |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1800A |
Puissance - Max | 11500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1800A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 145nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1800R17HE4B9HOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1800R17HE4B9HOSA2-FT |
FS100R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RPB11BPSA1
Infineon Technologies
FT150R12KE3GB4BDLA1
Infineon Technologies
FF450R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FD16001200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
FD16001200R17HP4KB2BOSA1
Infineon Technologies
FD800R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
FZ1600R17HP4B21BOSA2
Infineon Technologies
EPF8820ATC144-4N
Intel
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000-2PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL050T-VFG400I
Microsemi Corporation
10AX027E2F27I2SG
Intel
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel
EP20K100CQ208C9
Intel