maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1200R17HP4B2BOSA2
Référence fabricant | FZ1200R17HP4B2BOSA2 |
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Numéro de pièce future | FT-FZ1200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ1200R17HP4B2BOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1200A |
Puissance - Max | 7800W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 97nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R17HP4B2BOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
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APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
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APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
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APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation
APTGT25X120T3G
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XC4005E-3PQ100I
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XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
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M1A3PE3000-PQG208I
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10AX016C4U19E3LG
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10M50DAF484I6G
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EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
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EP4SGX110FF35C4
Intel