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Infineon Technologies FZ1200R17HE4HOSA2
- Numéro de pièce MFG
- FZ1200R17HE4HOSA2
- quantité disponible
- 47490 Pièces
- Prix de référence
- USD 524.548
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - MODULE IGBT IHMB130-2
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Modules
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- FZ1200R17HE4HOSA2.pdf
FZ1200R17HE4HOSA2 Caractéristiques
| Référence fabricant | FZ1200R17HE4HOSA2 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-FZ1200R17HE4HOSA2 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| FZ1200R17HE4HOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | - |
| Configuration | Single Switch |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1200A |
| Puissance - Max | 7800W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1200A |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 97nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Module |
| Package d'appareils du fournisseur | Module |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FZ1200R17HE4HOSA2 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | FZ1200R17HE4HOSA2-FT |
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