maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDK600-18N1
Référence fabricant | MDK600-18N1 |
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Numéro de pièce future | FT-MDK600-18N1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDK600-18N1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 883A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 18µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDK600-18N1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDK600-18N1-FT |
MBRB2035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel