maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MDI100-12A3
Référence fabricant | MDI100-12A3 |
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Numéro de pièce future | FT-MDI100-12A3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDI100-12A3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 135A |
Puissance - Max | 560W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Y4-M5 |
Package d'appareils du fournisseur | Y4-M5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDI100-12A3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDI100-12A3-FT |
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120G
Microsemi Corporation
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60G
Microsemi Corporation
APTGT300DA170D3G
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel