maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT300A60G
Référence fabricant | APTGT300A60G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT300A60G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT300A60G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 430A |
Puissance - Max | 1150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 350µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 24nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP6 |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT300A60G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT300A60G-FT |
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB600AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT300YH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT400TH60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FGG320C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2QN84C
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M1A3P250-2VQG100
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EP3SE260F1152I3
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