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Référence fabricant | APTGT300A170D3G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT300A170D3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT300A170D3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 530A |
Puissance - Max | 1470W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 8mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-3 Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT300A170D3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT300A170D3G-FT |
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB600AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
Intel
5SEE9F45I2N
Intel
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LFE3-150EA-6LFN672C
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10AX027E1F29E1HG
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