maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT300A170D3G
Référence fabricant | APTGT300A170D3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT300A170D3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT300A170D3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 530A |
Puissance - Max | 1470W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 8mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-3 Module |
Package d'appareils du fournisseur | D3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT300A170D3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT300A170D3G-FT |
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB600AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S500E-4FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
LFX125EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel