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Référence fabricant | MCH6661-TL-W |
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Numéro de pièce future | FT-MCH6661-TL-W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCH6661-TL-W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 188 mOhm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88FL/MCPH6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCH6661-TL-W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCH6661-TL-W-FT |
DMN2036UCB4-7
Diodes Incorporated
EFC4619R-TR
ON Semiconductor
CSD86356Q5DT
Texas Instruments
CSD87333Q3D
Texas Instruments
CSD86356Q5D
Texas Instruments
CSD87333Q3DT
Texas Instruments
CSD87334Q3DT
Texas Instruments
CSD87312Q3E
Texas Instruments
CSD87334Q3D
Texas Instruments
CSD87502Q2T
Texas Instruments
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel