maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD87333Q3DT
Référence fabricant | CSD87333Q3DT |
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Numéro de pièce future | FT-CSD87333Q3DT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD87333Q3DT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3 mOhm @ 4A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 662pF @ 15V |
Puissance - Max | 6W |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSON (3.3x3.3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87333Q3DT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD87333Q3DT-FT |
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