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Référence fabricant | MBRH20030R |
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Numéro de pièce future | FT-MBRH20030R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRH20030R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH20030R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRH20030R-FT |
D2700U45X122XOSA1
Infineon Technologies
D1600U45X122XPSA1
Infineon Technologies
BAW78DE6327HTSA1
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Infineon Technologies
GP2D030A060B
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GDP15S120B
Global Power Technologies Group
GDP24P060B
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GDP30P120B
Global Power Technologies Group
GDP30S120B
Global Power Technologies Group
GDP36Z060B
Global Power Technologies Group
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
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XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
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EP1S40F1020I6N
Intel