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Référence fabricant | GDP15S120B |
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Numéro de pièce future | FT-GDP15S120B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Amp+™ |
GDP15S120B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 15A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 15A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 895pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 135°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP15S120B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDP15S120B-FT |
DPG10I300PA
IXYS
DPG10I400PA
IXYS
DPG15I200PA
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DSEP15-06A
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Xilinx Inc.
APA075-TQG100
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10AX016E4F29I3LG
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EP1SGX25DF1020C6
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