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Référence fabricant | GDP30P120B |
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Numéro de pièce future | FT-GDP30P120B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Amp+™ |
GDP30P120B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 81A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 1790pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 135°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP30P120B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDP30P120B-FT |
DPG15I200PA
IXYS
DPG15I300PA
IXYS
DPG30I300PA
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DSA15I45PA
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DSEP15-06A
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IXYS
DSEP29-06B
IXYS
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel