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Référence fabricant | MBRF30100CT-LJ |
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Numéro de pièce future | FT-MBRF30100CT-LJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRF30100CT-LJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF30100CT-LJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRF30100CT-LJ-FT |
BAS40-04-7-F
Diodes Incorporated
BAT54A-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-04-7-F
Diodes Incorporated
BAV199-7-F
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BAS70-05-7-F
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BAV23A-7-F
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BAV70-7-F
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MMBD3004S-7-F
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BAV23C-7-F
Diodes Incorporated
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel