maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV23A-7-F
Référence fabricant | BAV23A-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAV23A-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV23A-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 400mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV23A-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV23A-7-F-FT |
BAV23,215
Nexperia USA Inc.
BAS4007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28,215
Nexperia USA Inc.
BAS28,235
Nexperia USA Inc.
BAS56,235
Nexperia USA Inc.
BAS28E6327HTSA1
Infineon Technologies
DB4X501K0R
Panasonic Electronic Components
BAS56,215
Nexperia USA Inc.
BAW101,215
Nexperia USA Inc.
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel