maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS28,215
Référence fabricant | BAS28,215 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS28,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS28,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS28,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS28,215-FT |
FEP16AT
ON Semiconductor
FEP16ATA
ON Semiconductor
FEP16ATD
ON Semiconductor
FEP16BT
ON Semiconductor
FEP16BTA
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FEP16BTD
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FEP16CT
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FEP16CTA
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FEP16CTD
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FEP16DT
ON Semiconductor
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
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XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
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EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation