maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEP16AT
Référence fabricant | FEP16AT |
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Numéro de pièce future | FT-FEP16AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEP16AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEP16AT-FT |
BAS7004SH6827XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SE6327BTSA1
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BAV 70S E6433
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A54SX16A-2TQ144I
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LFEC3E-3T100C
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5SGSMD4E3H29C2N
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10M40SCE144A7G
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XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel