maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV70-7-F
Référence fabricant | BAV70-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAV70-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV70-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV70-7-F-FT |
BAS4007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28,215
Nexperia USA Inc.
BAS28,235
Nexperia USA Inc.
BAS56,235
Nexperia USA Inc.
BAS28E6327HTSA1
Infineon Technologies
DB4X501K0R
Panasonic Electronic Components
BAS56,215
Nexperia USA Inc.
BAW101,215
Nexperia USA Inc.
DA4X101K0R
Panasonic Electronic Components
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel