maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB2080CTTRL
Référence fabricant | MBRB2080CTTRL |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB2080CTTRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB2080CTTRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2080CTTRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB2080CTTRL-FT |
FEPB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel