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Référence fabricant | MBRB1090-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB1090-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB1090-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1090-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB1090-M3/4W-FT |
VS-HFA16TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel