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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3

Name: VS-HFA08TB120S-M3
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-HFA08TB120S-M3
Price: 1.216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (473 reviews)

Numéro de pièce MFG: VS-HFA08TB120S-M3

quantité disponible: 80340 Pièces

Prix de référence: USD 1.216

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: HEXFRED® DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: VS-HFA08TB120S-M3.pdf

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VS-HFA08TB120S-M3 Caractéristiques

Référence fabricant	VS-HFA08TB120S-M3
Numéro de pièce future	FT-VS-HFA08TB120S-M3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFRED®
VS-HFA08TB120S-M3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	8A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	4.3V @ 16A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	95ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur	TO-263AB (D²PAK)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-HFA08TB120S-M3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	VS-HFA08TB120S-M3-FT

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