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Référence fabricant | RGL34DHE3/98 |
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Numéro de pièce future | FT-RGL34DHE3/98 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
RGL34DHE3/98 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AA (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AA (GL34) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGL34DHE3/98 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RGL34DHE3/98-FT |
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6478-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41C-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
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