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Référence fabricant | VS-HFA16TB120S-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-HFA16TB120S-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
VS-HFA16TB120S-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.93V @ 32A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 135ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA16TB120S-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-HFA16TB120S-M3-FT |
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation