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Référence fabricant | MBR1660HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR1660HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR1660HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1660HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR1660HC0G-FT |
SFA805G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA805GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA807G C0G
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SFA807GHC0G
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SFA808GHC0G
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SRA10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010E-2BG225I
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A3P1000L-FG484I
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A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
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5SGXMB5R2F40C2N
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5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
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LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
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