maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SRA10150HC0G
Référence fabricant | SRA10150HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRA10150HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRA10150HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA10150HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRA10150HC0G-FT |
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SL,L3F
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DSR01S30SL,L3F
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CUHS10F60,H3F
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CUHS20F30,H3F
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CUHS20F40,H3F
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CUHS20S30,H3F
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CUHS20S40,H3F
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CCS15S40,L3F
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CCS15F40,L3F
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
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LFE2-20E-7FN256C
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EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
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