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Référence fabricant | SRA10100HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRA10100HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRA10100HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA10100HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRA10100HC0G-FT |
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
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CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S40,H3F
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XC4010XL-1TQ144C
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XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
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LCMXO2-4000HC-4BG256I
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5AGXFB3H4F35I3N
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