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Référence fabricant | SRA10100HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRA10100HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRA10100HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA10100HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRA10100HC0G-FT |
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
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XC3S1200E-4FG320C
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XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation