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Référence fabricant | MB9AFB44NBBGL-GE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB9AFB44NBBGL-GE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FM3 MB9AB40NB |
MB9AFB44NBBGL-GE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | ARM® Cortex®-M3 |
Taille de base | 32-Bit |
La vitesse | 40MHz |
Connectivité | CSIO, EBI/EMI, I²C, UART/USART, USB |
Des périphériques | DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 83 |
Taille de la mémoire du programme | 288KB (288K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 32K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 1.65V ~ 3.6V |
Convertisseurs de données | A/D 24x12b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 112-LFBGA |
112-PFBGA (10x10) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB9AFB44NBBGL-GE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB9AFB44NBBGL-GE1-FT |
MKL02Z16VFG4R
NXP USA Inc.
MK60FN1M0VMD15
NXP USA Inc.
MK64FN1M0VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512ZVMD10
NXP USA Inc.
MK20FX512VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK66FN2M0VMD18
NXP USA Inc.
MK60DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK10DX256VMD10
NXP USA Inc.
MK60DN512ZVMD10
NXP USA Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS1500-FGG484K
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEA7K2F40C3
Intel
EP3SE260H780I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation