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Référence fabricant | MB9AF316NABGL-GE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB9AF316NABGL-GE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FM3 MB9A310A |
MB9AF316NABGL-GE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | ARM® Cortex®-M3 |
Taille de base | 32-Bit |
La vitesse | 40MHz |
Connectivité | CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB |
Des périphériques | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 83 |
Taille de la mémoire du programme | 512KB (512K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 32K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertisseurs de données | A/D 16x12b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 112-LFBGA |
112-LFBGA (10x10) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB9AF316NABGL-GE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB9AF316NABGL-GE1-FT |
MKL03Z16VFG4
NXP USA Inc.
MKL02Z16VFG4R
NXP USA Inc.
MK60FN1M0VMD15
NXP USA Inc.
MK64FN1M0VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512ZVMD10
NXP USA Inc.
MK20FX512VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK66FN2M0VMD18
NXP USA Inc.
MK60DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK10DX256VMD10
NXP USA Inc.
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XCV200-4FG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-5FG676C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation