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Référence fabricant | MB9AF316NABGL-GE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB9AF316NABGL-GE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FM3 MB9A310A |
MB9AF316NABGL-GE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | ARM® Cortex®-M3 |
Taille de base | 32-Bit |
La vitesse | 40MHz |
Connectivité | CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB |
Des périphériques | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 83 |
Taille de la mémoire du programme | 512KB (512K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 32K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertisseurs de données | A/D 16x12b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 112-LFBGA |
112-LFBGA (10x10) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB9AF316NABGL-GE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB9AF316NABGL-GE1-FT |
MKL03Z16VFG4
NXP USA Inc.
MKL02Z16VFG4R
NXP USA Inc.
MK60FN1M0VMD15
NXP USA Inc.
MK64FN1M0VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512ZVMD10
NXP USA Inc.
MK20FX512VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK66FN2M0VMD18
NXP USA Inc.
MK60DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK10DX256VMD10
NXP USA Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
EX256-PTQG100
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
EP2A25F672C7
Intel
EPF10K200SBC672-2X
Intel
EP2C70F672C7N
Intel
XC7VX485T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation