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Référence fabricant | MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RS64TUPNF-G-JNERE2-FT |
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25S512MDYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
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Intel