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Référence fabricant | MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RS64TUPNF-G-JNERE2-FT |
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25S512MDYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel