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Référence fabricant | MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RS64TUPNF-G-JNERE2-FT |
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25S512MDYIGR
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GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
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GD5F1GQ4UFYIGR
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M2GL025TS-1FGG484I
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A54SX16A-FFG256
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MPF200T-FCG484E
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5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
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5SGXEB9R3H43C2L
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A42MX24-1PQG160M
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10M16DCU324A7G
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5AGXMA1D6F31C6N
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EP20K100EBC356-3N
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