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Référence fabricant | MB85RC128APNF-G-JNE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RC128APNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RC128APNF-G-JNE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 128Kb (16K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC128APNF-G-JNE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RC128APNF-G-JNE1-FT |
6116LA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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Intel