maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116SA45DB
Référence fabricant | 6116SA45DB |
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Numéro de pièce future | FT-6116SA45DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116SA45DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA45DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116SA45DB-FT |
71V016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel