maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116SA20DB
Référence fabricant | 6116SA20DB |
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Numéro de pièce future | FT-6116SA20DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116SA20DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 20ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA20DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116SA20DB-FT |
71V416S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation