Référence fabricant | MB358W |
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Numéro de pièce future | FT-MB358W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB358W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MB-35W |
Package d'appareils du fournisseur | MB-35W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB358W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB358W-FT |
GBU2508-BP
Micro Commercial Co
GBU4JL-BP
Micro Commercial Co
GBU4KL-BP
Micro Commercial Co
UD4KB100-BP
Micro Commercial Co
UD2KB100-BP
Micro Commercial Co
UD3KB100-BP
Micro Commercial Co
BR805DL-BP
Micro Commercial Co
BR810DL-BP
Micro Commercial Co
BR81DL-BP
Micro Commercial Co
BR82DL-BP
Micro Commercial Co
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation