Référence fabricant | MB358W |
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Numéro de pièce future | FT-MB358W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB358W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MB-35W |
Package d'appareils du fournisseur | MB-35W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB358W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB358W-FT |
GBU2508-BP
Micro Commercial Co
GBU4JL-BP
Micro Commercial Co
GBU4KL-BP
Micro Commercial Co
UD4KB100-BP
Micro Commercial Co
UD2KB100-BP
Micro Commercial Co
UD3KB100-BP
Micro Commercial Co
BR805DL-BP
Micro Commercial Co
BR810DL-BP
Micro Commercial Co
BR81DL-BP
Micro Commercial Co
BR82DL-BP
Micro Commercial Co
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel