maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU4JL-BP
Référence fabricant | GBU4JL-BP |
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Numéro de pièce future | FT-GBU4JL-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU4JL-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4JL-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU4JL-BP-FT |
MSD30-08
Microsemi Corporation
MSD30-12
Microsemi Corporation
MSD30-16
Microsemi Corporation
MSD50-16
Microsemi Corporation
MSD160-18
Microsemi Corporation
MSD130-16
Microsemi Corporation
MSD100-16
Microsemi Corporation
MSD100-12
Microsemi Corporation
MSD130-08
Microsemi Corporation
MSD130-12
Microsemi Corporation
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel