maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / BR810DL-BP
Référence fabricant | BR810DL-BP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BR810DL-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR810DL-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, BR-8D |
Package d'appareils du fournisseur | BR-8D |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR810DL-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR810DL-BP-FT |
MSD100-16
Microsemi Corporation
MSD100-12
Microsemi Corporation
MSD130-08
Microsemi Corporation
MSD130-12
Microsemi Corporation
MSD160-08
Microsemi Corporation
MSD160-12
Microsemi Corporation
MSD160-16
Microsemi Corporation
MSD200-08
Microsemi Corporation
MSD200-12
Microsemi Corporation
MSD200-16
Microsemi Corporation
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel