Référence fabricant | MB356-F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MB356-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB356-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, MB |
Package d'appareils du fournisseur | MB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB356-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB356-F-FT |
GBU6K
ON Semiconductor
GBU6B
ON Semiconductor
GBU4J
ON Semiconductor
GBU6D
ON Semiconductor
GBU4D
ON Semiconductor
GBU6M
ON Semiconductor
GBU4K
ON Semiconductor
GBU8K
ON Semiconductor
GBU6J
ON Semiconductor
GBU4B
ON Semiconductor
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation