Référence fabricant | MB3510W |
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Numéro de pièce future | FT-MB3510W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB3510W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MB-35W |
Package d'appareils du fournisseur | MB-35W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB3510W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB3510W-FT |
PB605-BP
Micro Commercial Co
PB64-BP
Micro Commercial Co
PB61-BP
Micro Commercial Co
PB610-BP
Micro Commercial Co
PB68-BP
Micro Commercial Co
PB610
Micro Commercial Co
PB66
Micro Commercial Co
PB68
Micro Commercial Co
GBU2508-BP
Micro Commercial Co
GBU4JL-BP
Micro Commercial Co
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel