Référence fabricant | PB610 |
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Numéro de pièce future | FT-PB610 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PB610 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, PB-6 |
Package d'appareils du fournisseur | PB-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PB610 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PB610-FT |
MSD75-12
Microsemi Corporation
MSD75-16
Microsemi Corporation
MSD50-08
Microsemi Corporation
MSD50-12
Microsemi Corporation
MSD30-08
Microsemi Corporation
MSD30-12
Microsemi Corporation
MSD30-16
Microsemi Corporation
MSD50-16
Microsemi Corporation
MSD160-18
Microsemi Corporation
MSD130-16
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel