Référence fabricant | PB610 |
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Numéro de pièce future | FT-PB610 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PB610 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, PB-6 |
Package d'appareils du fournisseur | PB-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PB610 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PB610-FT |
MSD75-12
Microsemi Corporation
MSD75-16
Microsemi Corporation
MSD50-08
Microsemi Corporation
MSD50-12
Microsemi Corporation
MSD30-08
Microsemi Corporation
MSD30-12
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MSD30-16
Microsemi Corporation
MSD50-16
Microsemi Corporation
MSD160-18
Microsemi Corporation
MSD130-16
Microsemi Corporation
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
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XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel