maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE56AE3
Référence fabricant | MAP6KE56AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP6KE56AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE56AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 47.8V |
Tension - Panne (Min) | 53.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 77V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 7.8A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE56AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE56AE3-FT |
MAP6KE110CA
Microsemi Corporation
MAP6KE110CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE11A
Microsemi Corporation
MAP6KE11AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE11CA
Microsemi Corporation
MAP6KE11CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE120A
Microsemi Corporation
MAP6KE120AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE120CA
Microsemi Corporation
MAP6KE120CAE3
Microsemi Corporation
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
10CL080YF484I7G
Intel
EP3SL50F484I4LN
Intel
EP3CLS100U484C7N
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I4SGES
Intel