maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE120AE3
Référence fabricant | MAP6KE120AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MAP6KE120AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE120AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 102V |
Tension - Panne (Min) | 114V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 165V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.6A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE120AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE120AE3-FT |
M1.5KE9.1CA
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1CAE3
Microsemi Corporation
MAD1108E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1109E3/TU
Microsemi Corporation
MALCE100A
Microsemi Corporation
MALCE100AE3
Microsemi Corporation
MALCE10A
Microsemi Corporation
MALCE10AE3
Microsemi Corporation
MALCE110A
Microsemi Corporation
MALCE110AE3
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2L
Intel
5SGXMB6R3F40C4N
Intel
10AX048E3F29E2SG
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H3F34E2SG
Intel