maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE11CAE3
Référence fabricant | MAP6KE11CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MAP6KE11CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE11CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 9.4V |
Tension - Panne (Min) | 10.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 38A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE11CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE11CAE3-FT |
M1.5KE9.1A
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1CA
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1CAE3
Microsemi Corporation
MAD1108E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1109E3/TU
Microsemi Corporation
MALCE100A
Microsemi Corporation
MALCE100AE3
Microsemi Corporation
MALCE10A
Microsemi Corporation
MALCE10AE3
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel