maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE51AE3
Référence fabricant | MAP6KE51AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MAP6KE51AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE51AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 43.6V |
Tension - Panne (Min) | 48.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 70.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.6A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE51AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE51AE3-FT |
MAP6KE10CA
Microsemi Corporation
MAP6KE10CAE3
Microsemi Corporation
MAP6KE110A
Microsemi Corporation
MAP6KE110AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE110CA
Microsemi Corporation
MAP6KE110CAE3
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MAP6KE11A
Microsemi Corporation
MAP6KE11AE3
Microsemi Corporation
MAP6KE11CA
Microsemi Corporation
MAP6KE11CAE3
Microsemi Corporation
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel