maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MAP6KE10CAE3
Référence fabricant | MAP6KE10CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MAP6KE10CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE10CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.55V |
Tension - Panne (Min) | 9.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 41A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE10CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MAP6KE10CAE3-FT |
M1.5KE7.5A
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5CA
Microsemi Corporation
M1.5KE7.5CAE3
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2A
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2CA
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2CAE3
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1A
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1AE3
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel