maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M95512-DRMN3TP/K
Référence fabricant | M95512-DRMN3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M95512-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRMN3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 16MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRMN3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M95512-DRMN3TP/K-FT |
70V5388S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
BQ2024DBZR
Texas Instruments
BQ2024DBZRG4
Texas Instruments
BQ2022ADBZR
Texas Instruments
BQ2022ADBZRG4
Texas Instruments
BQ2026DBZR
Texas Instruments
BQ2022DBZR
Texas Instruments
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel