maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M95512-DRMN3TP/K
Référence fabricant | M95512-DRMN3TP/K |
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Numéro de pièce future | FT-M95512-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRMN3TP/K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 16MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRMN3TP/K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M95512-DRMN3TP/K-FT |
70V5388S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
BQ2024DBZR
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BQ2024DBZRG4
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BQ2022ADBZRG4
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M2GL025-FCSG325I
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M1A3P600-PQG208
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A42MX16-3TQ176I
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A54SX08A-FGG144
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A42MX16-3PQ100I
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LFE2-6SE-5F256I
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