maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BQ2022DBZR
Référence fabricant | BQ2022DBZR |
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Numéro de pièce future | FT-BQ2022DBZR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ2022DBZR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - OTP |
Taille mémoire | 1Kb (256b x 4 pages) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Single Wire |
Tension - Alimentation | 2.65V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ2022DBZR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ2022DBZR-FT |
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
W978H6KBVX2I
Winbond Electronics
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel